ES2BA-13-F - Diodes Incorporated

Numero di parte	ES2BA-13-F
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corrente - Rettificato medio (Io)	2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	920mV @ 2A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F	25pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore	SMA
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
ES2B	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Dettagli
ES2B M4G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Dettagli
ES2B R5G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Dettagli
ES2B-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 2A SMB	Dettagli
ES2B-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 2A SMB	Dettagli
ES2B-E3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Dettagli
ES2B-E3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Dettagli
ES2B-LTP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC	Dettagli
ES2B-M3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Dettagli
ES2B-M3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Dettagli