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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › DNLS350E-13
DNLS350E-13

DNLS350E-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DNLS350E-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
TRANS NPN 50V 3A SOT-223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DNLS350E-13 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
12500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1361/pcs
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DNLS350E-13 Descrizione dettagliata

Numero di parte DNLS350E-13
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 290mV @ 200mA, 2A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V
Potenza - Max 1W
Frequenza - Transizione 100MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Peso -
Paese d'origine -

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