| Numero di parte | DMTH4004SCTBQ-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4305pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 4.7W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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DMTH4004LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 100A TO252 | Dettagli |
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DMTH4004LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 100A TO252 | Dettagli |
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DMTH4004LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 26A POWERDI | Dettagli |
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DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R | Dettagli |
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DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 100A TO263 | Dettagli |
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DMTH4004SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 | Dettagli |
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DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 100A TO252 | Dettagli |
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DMTH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | Dettagli |
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DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060-8 | Dettagli |
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DMTH4005SCT | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 100A TO220AB | Dettagli |
