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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › DMT3020LFDB-13
DMT3020LFDB-13

DMT3020LFDB-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMT3020LFDB-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMT3020LFDB-13 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
122550 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2133/pcs
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DMT3020LFDB-13 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMT3020LFDB-13
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 393pF @ 15V
Potenza - Max 700mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B)
Peso -
Paese d'origine -

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