DMS2220LFDB-7 Descrizione dettagliata
Numero di parte |
DMS2220LFDB-7 |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
P-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
3.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
632pF @ 10V |
Vgs (massimo) |
±12V |
Caratteristica FET |
Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) |
1.4W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
95 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
U-DFN2020-6 (Type B) |
Pacchetto / caso |
6-UDFN Exposed Pad |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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