DMP6110SVTQ-7 Descrizione dettagliata
Numero di parte |
DMP6110SVTQ-7 |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
P-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
7.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
17.2nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
969pF @ 30V |
Vgs (massimo) |
±20V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
1.8W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
105 mOhm @ 4.5A, 10V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
TSOT-26 |
Pacchetto / caso |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
PRODOTTI CORRELATI PER DMP6110SVTQ-7