| Numero di parte | DMN4060SVT-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1287pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 4.3A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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DMN4008LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8 | Dettagli |
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DMN4008LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8 | Dettagli |
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DMN4009LK3 | DIODES | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Dettagli |
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DMN4009LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 18A DPAK | Dettagli |
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DMN4010LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8 | Dettagli |
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DMN4010LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8 | Dettagli |
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DMN4015LK3 | DIODES | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Dettagli |
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DMN4015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK | Dettagli |
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DMN4020LFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6 | Dettagli |
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DMN4020LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 6-UDFN | Dettagli |
