| Numero di parte | DMN2022UNS-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.3nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1870pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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DMN2004DMK | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Dettagli |
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DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 | Dettagli |
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DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523 | Dettagli |
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DMN2004VK | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Dettagli |
