| Numero di parte | DMN2013UFDE-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.8nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2453pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 660mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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DMN2004DMK | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Dettagli |
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DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26 | Dettagli |
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DMN2004DWK | DIODES | DMN2004DWK DIODES SOT363 New Original Stocks | Dettagli |
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DMN2004DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 | Dettagli |
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DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 | Dettagli |
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DMN2004K | DIODES | DMN2004K DIODES SOT23 New Original Stocks | Dettagli |
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DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3 | Dettagli |
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DMN2004K-7-F | DIODESINCORPORATED | DMN2004K-7-F DIODESINCORPORATED SOT 23 New Original Stocks | Dettagli |
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DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523 | Dettagli |
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DMN2004VK | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Dettagli |
