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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array › DMMT5551-7
DMMT5551-7

DMMT5551-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMMT5551-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMMT5551-7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
DMMT5551-7.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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DMMT5551-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMMT5551-7
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Transistor Type 2 NPN (Dual) Matched Pair
Corrente - Collector (Ic) (Max) 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Potenza - Max 300mW
Frequenza - Transizione 300MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-26
Peso -
Paese d'origine -

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