DMG4812SSS-13 Descrizione dettagliata
Numero di parte |
DMG4812SSS-13 |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
18.5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1849pF @ 15V |
Vgs (massimo) |
±12V |
Caratteristica FET |
Schottky Diode (Body) |
Dissipazione di potenza (max) |
1.54W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
15 mOhm @ 10.7A, 10V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
8-SO |
Pacchetto / caso |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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