DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMG4812SSS-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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DMG4812SSS-13 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMG4812SSS-13
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1849pF @ 15V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max) 1.54W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 10.7A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso -
Paese d'origine -

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