DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMG3N60SJ3
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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43056 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.6196/pcs
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DMG3N60SJ3 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMG3N60SJ3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 354pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-251
Pacchetto / caso TO-251-3, IPak, Short Leads
Peso -
Paese d'origine -

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