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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMG3415U-7
DMG3415U-7

DMG3415U-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMG3415U-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMG3415U-7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
105000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1035/pcs
Il nostro prezzo
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DMG3415U-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMG3415U-7
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 294pF @ 10V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 4A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
Paese d'origine -

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