DI9400T - Diodes Incorporated

Numero di parte	DI9400T
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SMD, Gull Wing
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
DI9000BBCZ	AD	DI9000BBCZ AD BGA New Original Stocks	Dettagli
DI9002BBCZ	AD	DI9002BBCZ AD BGA New Original Stocks	Dettagli
DI9003BBCZ	AD	DI9003BBCZ AD BGA New Original Stocks	Dettagli
DI9400T	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP	Dettagli
DI9405	DI	DI9405 DI SOP-8 New Original Stocks	Dettagli
DI9405T	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC	Dettagli
DI9430T	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP	Dettagli
DI9435T	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP	Dettagli
DI9942T	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC	Dettagli
DI9945T	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC	Dettagli