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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › DDTD113EU-7-F
DDTD113EU-7-F

DDTD113EU-7-F - Diodes Incorporated

Numero di parte
DDTD113EU-7-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DDTD113EU-7-F Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
418080 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0607/pcs
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DDTD113EU-7-F Descrizione dettagliata

Numero di parte DDTD113EU-7-F
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 1k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 1k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 200MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323
Peso -
Paese d'origine -

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