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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati › DCX114EU-7-F
DCX114EU-7-F

DCX114EU-7-F - Diodes Incorporated

Numero di parte
DCX114EU-7-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DCX114EU-7-F Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
37500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0792/pcs
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DCX114EU-7-F Descrizione dettagliata

Numero di parte DCX114EU-7-F
Stato parte Active
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363
Peso -
Paese d'origine -

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