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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › APT13005DI-G1
APT13005DI-G1

APT13005DI-G1 - Diodes Incorporated

Numero di parte
APT13005DI-G1
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
TRANS NPN 450V 4A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APT13005DI-G1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
107709 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2393/pcs
Il nostro prezzo
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APT13005DI-G1 Descrizione dettagliata

Numero di parte APT13005DI-G1
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 900mV @ 1A, 4A
Corrente - Limite del collettore (max) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 2A, 5V
Potenza - Max 25W
Frequenza - Transizione 4MHz
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo fornitore TO-251
Peso -
Paese d'origine -

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