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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Singoli › 1N4006-G
1N4006-G

1N4006-G - Comchip Technology

Numero di parte
1N4006-G
fabbricante
Comchip Technology
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
1N4006-G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
1N4006-G.pdf
Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
947129 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.027/pcs
Il nostro prezzo
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1N4006-G Descrizione dettagliata

Numero di parte 1N4006-G
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 800V
Corrente - Rettificato medio (Io) 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso DO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore DO-41
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C
Peso -
Paese d'origine -

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