| Numero di parte | CWDM305ND TR13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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CWDM3011N TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC | Dettagli |
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CWDM3011P TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC | Dettagli |
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CWDM305N TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC | Dettagli |
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CWDM305ND TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC | Dettagli |
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CWDM305P TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC | Dettagli |
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CWDM305PD TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC | Dettagli |
