CEDM7001VL TR - Central Semiconductor Corp

Numero di parte	CEDM7001VL TR
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.57nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9pF @ 3V
Vgs (massimo)	10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 10mA, 4V
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-883VL
Pacchetto / caso	SC-101, SOT-883
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
CEDM7001 BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883	Dettagli
CEDM7001 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883	Dettagli
CEDM7001VL TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883	Dettagli
CEDM7002AE TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883	Dettagli
CEDM7004 BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883	Dettagli
CEDM7004 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883	Dettagli
CEDM7004VL TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883	Dettagli