CDM7-650 TR13 - Central Semiconductor Corp

Numero di parte	CDM7-650 TR13
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	754pF @ 25V
Vgs (massimo)	30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.12W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 3.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	CDM7-600LR TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 7A 600V DPAK	Dettagli
	CDM7-650 TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 7A 650V DPAK	Dettagli