BCY59-VIII - Central Semiconductor Corp

Numero di parte	BCY59-VIII
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 2.5mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max)	10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	180 @ 2mA, 5V
Potenza - Max	1W
Frequenza - Transizione	150MHz
temperatura di esercizio	-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-18
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BCY56	ST	BCY56 ST CAN3 New Original Stocks	Dettagli
BCY57	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package	Dettagli
BCY58	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package.	Dettagli
BCY58VII	PHI	BCY58VII PHI CAN3 New Original Stocks	Dettagli
BCY59	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package	Dettagli
BCY59-9	ORIGINAL	BCY59-9 ORIGINAL CAN3 New Original Stocks	Dettagli
BCY59-IK	ORIGINAL	BCY59-IK ORIGINAL CAN3 New Original Stocks	Dettagli
BCY59-IX	Central Semiconductor Corp	THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI	Dettagli
BCY59-VII	Central Semiconductor Corp	THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI	Dettagli
BCY59-VIII	Central Semiconductor Corp	THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI	Dettagli