| Numero di parte | 2N6491 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 5A, 15A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 4V |
| Potenza - Max | 75W |
| Frequenza - Transizione | 5MHz |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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2N0303 | INFINEON | 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks | Dettagli |
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2N03L10 | INFINEON | 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks | Dettagli |
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2N1008 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
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2N1008A | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
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2N1008B | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
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2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | Dettagli |
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2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
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2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
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2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
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2N1057 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
