| Numero di parte | 2N5063 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Voltaggio - Off State | 150V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
| Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.7V |
| Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
| Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 800mA |
| Corrente - Attesa (Ih) (Max) | 5mA |
| Corrente - Off Stato (max) | 1µA |
| Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | - |
| SCR Type | Sensitive Gate |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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2N0303 | INFINEON | 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks | Dettagli |
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2N03L10 | INFINEON | 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks | Dettagli |
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2N1008 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
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2N1008A | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
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2N1008B | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
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2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | Dettagli |
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2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
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2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
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2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
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2N1057 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
