| Numero di parte | 2N3646 |
|---|---|
| Stato parte | Last Time Buy |
| Transistor Type | NPN |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 30mA, 400mV |
| Potenza - Max | 200mW |
| Frequenza - Transizione | 350MHz |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-106-3 Domed |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-106 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
2N0303 | INFINEON | 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks | Dettagli |
|
2N03L10 | INFINEON | 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks | Dettagli |
|
2N1008 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
|
2N1008A | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
|
2N1008B | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
|
2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | Dettagli |
 |
2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
|
2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
|
2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
|
2N1057 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
