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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - RF › UPA810T-T1-A
UPA810T-T1-A

UPA810T-T1-A - CEL

Numero di parte
UPA810T-T1-A
fabbricante
CEL
Breve descrizione
RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
UPA810T-T1-A Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
UPA810T-T1-A.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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UPA810T-T1-A Descrizione dettagliata

Numero di parte UPA810T-T1-A
Stato parte Obsolete
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequenza - Transizione 4.5GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
Guadagno 9dB
Potenza - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 7mA, 3V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363
Peso -
Paese d'origine -

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