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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - RF › NE85633-T1B-R24-A
NE85633-T1B-R24-A

NE85633-T1B-R24-A - CEL

Numero di parte
NE85633-T1B-R24-A
fabbricante
CEL
Breve descrizione
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NE85633-T1B-R24-A Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
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NE85633-T1B-R24-A Descrizione dettagliata

Numero di parte NE85633-T1B-R24-A
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequenza - Transizione 7GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Guadagno 11.5dB
Potenza - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 20mA, 10V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23
Peso -
Paese d'origine -

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