NE68133-T1B-R34-A - CEL

Numero di parte	NE68133-T1B-R34-A
Stato parte	Obsolete
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	10V
Frequenza - Transizione	9GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)	1.2dB @ 1GHz
Guadagno	13dB
Potenza - Max	200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 20mA, 8V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	65mA
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
NE68130-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-323	Dettagli
NE68130-T1	CEL	TRANS NPN 1GHZ SOT-323	Dettagli
NE68130-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-323	Dettagli
NE68130-T1-R34-A	CEL	SAME AS 2SC4227 NPN SILICON AMPL	Dettagli
NE68133-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-23	Dettagli
NE68133-T1B-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-23	Dettagli
NE68133-T1B-R33-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-23	Dettagli
NE68133-T1B-R34-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-23	Dettagli
NE68133-T1B-R35-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-23	Dettagli
NE68139-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-143	Dettagli