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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - RF › NE52418-T1-A
NE52418-T1-A

NE52418-T1-A - CEL

Numero di parte
NE52418-T1-A
fabbricante
CEL
Breve descrizione
IC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NE52418-T1-A Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
NE52418-T1-A.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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NE52418-T1-A Descrizione dettagliata

Numero di parte NE52418-T1-A
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5V
Frequenza - Transizione -
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz
Guadagno 14dB ~ 16dB
Potenza - Max 150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 3mA, 2V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 40mA
temperatura di esercizio 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitore 4-Super Mini Mold
Peso -
Paese d'origine -

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