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| Numero di parte | VP0550N3-G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 54mA (Tj) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 Ohm @ 10mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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VP0535N3 | EXSHINE | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS FETS | Dettagli |
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VP0540N3 | EXSHINE | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS FETS | Dettagli |
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VP0540ND | EXSHINE | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE D MOS FETS | Dettagli |
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VP0550N3-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3 | Dettagli |
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VP0550N3-G-P013 | Microchip Technology | MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3 | Dettagli |
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VP0565540000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 5P SIDE ENT 10.16MM PCB | Dettagli |
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VP0565840000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 5P SIDE ENT 10.16MM PCB | Dettagli |
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VP0565850000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 5P SIDE ENT 10.16MM PCB | Dettagli |
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VP0565870000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 5P SIDE ENT 10.16MM PCB | Dettagli |
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VP0565880000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 5P SIDE ENT 10.16MM PCB | Dettagli |
