TN2540N3-G Descrizione dettagliata
Numero di parte |
TN2540N3-G |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
400V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
175mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
125pF @ 25V |
Vgs (massimo) |
±20V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
12 Ohm @ 500mA, 10V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore |
TO-92-3 |
Pacchetto / caso |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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