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| Numero di parte | TC6320K6-G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
| Potenza - Max | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (4x4) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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TC63 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP ALUM 12UF 350V AXIAL | Dettagli |
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TC6320K6-G | Microchip Technology | MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN | Dettagli |
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