DN2450K4-G - Microchip Technology

Numero di parte	DN2450K4-G
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	350mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	0V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 300mA, 0V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
DN2450K4-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 500V 350MA 3DPAK	Dettagli
DN2450N8-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 500V 0.23A SOT89-3	Dettagli
DN2470K4-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK	Dettagli