| Numero di parte | SP20C-G102 U |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di pressione | Compound |
| Pressione di esercizio | ±14.22 PSI (±98.04 kPa) |
| Tipo di uscita | Wheatstone Bridge |
| Produzione | 60 mV ~ 140 mV |
| Precisione | - |
| Tensione - Fornitura | - |
| Dimensione della porta | Male - 0.12" (3mm) Tube |
| Stile della porta | Barbless |
| Caratteristiche | - |
| Stile di terminazione | PC Pin |
| Pressione massima | ±42.67 PSI (±294.2 kPa) |
| temperatura di esercizio | -20°C ~ 100°C |
| Pacchetto / caso | 6-DIP Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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SP200 | Aries Electronics | PLUG SHORTING INSULATED BLACK | Dettagli |
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SP2003P | SPT | SP2003P SPT DIP New Original Stocks | Dettagli |
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SP200CT | SIPRX | SP200CT SIPRX SOP-20 New Original Stocks | Dettagli |
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SP201 | LINFINIT | SP201 LINFINIT SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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SP20100R | SECOS | SP20100R SECOS TO-220.. New Original Stocks | Dettagli |
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SP20150 | SECOS | 20.0AMP Schottky Barrier Rectifiers | Dettagli |
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SP20150R | SECOS | SP20150R SECOS TO-220.. New Original Stocks | Dettagli |
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SP202 | POLYFET | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR | Dettagli |
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SP20200 | SECOS | 20.0 AMP Schottky Barrier Rectifiers | Dettagli |
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SP20250 | SECOS | 20.0 AMP Schottky Barrier Rectifiers | Dettagli |
