| Numero di parte | AOU2N60 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 56.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 Ohm @ 1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251-3 |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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AOU1N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251 | Dettagli |
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AOU2N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 2A TO251 | Dettagli |
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AOU2N60A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH | Dettagli |
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AOU2N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 2A TO251 | Dettagli |
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AOU3N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK | Dettagli |
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AOU3N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK | Dettagli |
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AOU3N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK | Dettagli |
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AOU401 | AOS | AOU401 AOS TO-251 New Original Stocks | Dettagli |
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AOU402 | AOS | AOU402 AOS TO-251 New Original Stocks | Dettagli |
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AOU403 | AOS | AOU403 AOS T0-251 New Original Stocks | Dettagli |
