| Numero di parte | AOTF11N62L |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 620V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 5.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3F |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
AOTF10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 42W TO220F | Dettagli |
|
AOTF10B60D2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 10A TO-220F | Dettagli |
 |
AOTF10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | Dettagli |
|
AOTF10B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | Dettagli |
|
AOTF10N50FD | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 10A TO220F | Dettagli |
|
AOTF10N50FD_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 10A TO220F | Dettagli |
|
AOTF10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | Dettagli |
|
AOTF10N60L_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | Dettagli |
|
AOTF10N60_003 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | Dettagli |
|
AOTF10N60_006 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | Dettagli |
