Numero di parte | AOT20S60L |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.8nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1038pF @ 100V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 266W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 10A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Peso | - |
Paese d'origine | - |