AOT12N65

AOT12N65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numero di parte
AOT12N65
fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
AOT12N65 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
AOT12N65.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
38008 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.693/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per AOT12N65

AOT12N65 Descrizione dettagliata

Numero di parte AOT12N65
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2150pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 720 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER AOT12N65