| Numero di parte | AOK27S60L |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1294pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 13.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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AOK10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 163W TO247 | Dettagli |
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AOK10N90 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 900V 10A TO247 | Dettagli |
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AOK15B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 30A 167W TO247 | Dettagli |
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AOK18N65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 18A TO247 | Dettagli |
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AOK20B120D1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 1200V 20A TO-247 | Dettagli |
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AOK20B120E1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 1200V 20A TO247 | Dettagli |
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AOK20B120E2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 1200V 20A TO-247 | Dettagli |
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AOK20B135D1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 1350V 20A 340W TO-247 | Dettagli |
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AOK20B135E1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 1350V 20A 340W TO247 | Dettagli |
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AOK20B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 40A 180W TO247 | Dettagli |
