AOI1N60L

AOI1N60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numero di parte
AOI1N60L
fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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AOI1N60L Descrizione dettagliata

Numero di parte AOI1N60L
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 Ohm @ 650mA, 10V
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-251A
Pacchetto / caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso -
Paese d'origine -

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