AOE6932 Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
AOE6932 |
| Stato parte |
Active |
| Tipo FET |
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET |
Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
55A (Tc), 85A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
5 mOhm @ 20A, 10V, 1.4 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V |
| Potenza - Max |
24W, 52W |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
Surface Mount |
| Pacchetto / caso |
8-VDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
8-DFN (5x6) |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
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