AOC4810 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numero di parte	AOC4810
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1130pF @ 15V
Potenza - Max	900mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-XFLGA Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	8-AlphaDFN (3.2x2)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
AOC2401	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 30V 3A 4WLCSP	Dettagli
AOC2403	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 1.8A 4WLCSP	Dettagli
AOC2411	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP	Dettagli
AOC2412	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 4.5A 4WLCSP	Dettagli
AOC2413	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 8V 3.5A 4WLCSP	Dettagli
AOC2414	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 8V 4.5A MCSP1.57	Dettagli
AOC2415	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP	Dettagli
AOC2417	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP	Dettagli
AOC2421	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 8V 2.5A 4WLCSP	Dettagli
AOC2422	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 8V 3.5A 4WLCSP	Dettagli