AOC3868 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numero di parte	AOC3868
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	2.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-XDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	6-DFN (2.7x1.8)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
AOC2401	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 30V 3A 4WLCSP	Dettagli
AOC2403	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 1.8A 4WLCSP	Dettagli
AOC2411	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP	Dettagli
AOC2412	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 20V 4.5A 4WLCSP	Dettagli
AOC2413	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 8V 3.5A 4WLCSP	Dettagli
AOC2414	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 8V 4.5A MCSP1.57	Dettagli
AOC2415	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP	Dettagli
AOC2417	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP	Dettagli
AOC2421	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 8V 2.5A 4WLCSP	Dettagli
AOC2422	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 8V 3.5A 4WLCSP	Dettagli