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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › AOB11S65L
AOB11S65L

AOB11S65L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numero di parte
AOB11S65L
fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 11A TO263
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
AOB11S65L Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
AOB11S65L.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
20809 pcs
Prezzo di riferimento
USD 1.2427/pcs
Il nostro prezzo
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AOB11S65L Descrizione dettagliata

Numero di parte AOB11S65L
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 646pF @ 100V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 399 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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