AS4C32M16MD1-5BINTR - Alliance Memory, Inc.

Numero di parte: AS4C32M16MD1-5BINTR
fabbricante: Alliance Memory, Inc.
Breve descrizione: IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Memoria
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Codice data: New
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Prezzo di riferimento: USD 4.3594/pcs
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Numero di parte	AS4C32M16MD1-5BINTR
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	SDRAM - Mobile DDR
Dimensione della memoria	512Mb (32M x 16)
Frequenza di clock	200MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	15ns
Tempo di accesso	700ps
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	1.7 V ~ 1.9 V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	60-FBGA (8x9)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
AS4C32M16D1-5BCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Dettagli
AS4C32M16D1-5BCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Dettagli
AS4C32M16D1-5BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Dettagli
AS4C32M16D1-5BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	Dettagli
AS4C32M16D1-5TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Dettagli
AS4C32M16D1-5TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Dettagli
AS4C32M16D1-5TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Dettagli
AS4C32M16D1-5TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	Dettagli
AS4C32M16D1A-5TAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	Dettagli
AS4C32M16D1A-5TANTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	Dettagli