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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › ALD110908APAL
ALD110908APAL

ALD110908APAL - Advanced Linear Devices Inc.

Numero di parte
ALD110908APAL
fabbricante
Advanced Linear Devices Inc.
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
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ALD110908APAL.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 3.41/pcs
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ALD110908APAL Descrizione dettagliata

Numero di parte ALD110908APAL
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (Max) @ Id 810mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Potenza - Max 500mW
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP
Peso -
Paese d'origine -

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