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NXPSC08650DJ

NXPSC08650DJ - WeEn Semiconductors

Numéro d'article
NXPSC08650DJ
Fabricant
WeEn Semiconductors
Brève description
DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NXPSC08650DJ Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Diodes - Redresseurs - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1070 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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NXPSC08650DJ Description détaillée

Numéro d'article NXPSC08650DJ
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Courant - Rectifié moyen (Io) 8A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.7V @ 8A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 230µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F 260pF @ 1V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur DPAK
Température de fonctionnement - Jonction 175°C (Max)
Poids -
Pays d'origine -

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