BYC8B-600,118 - WeEn Semiconductors

Numéro d'article	BYC8B-600,118
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	500V
Courant - Rectifié moyen (Io)	8A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	2.9V @ 8A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	52ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	150µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur	D2PAK
Température de fonctionnement - Jonction	150°C (Max)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BYC8B-600	NXP	BYC8B-600 NXP TO263 New Original Stocks	Détails
BYC8B-600,118	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK	Détails
BYC8B-600PJ	WeEn Semiconductors	DIODE HYPER FAST 600V 8A D2PAK	Détails
BYC8B-600PQP	NXP USA Inc.	DIODE GEN PURP 600V 8A	Détails