BYC30W-1200PQ - WeEn Semiconductors

Numéro d'article	BYC30W-1200PQ
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Courant - Rectifié moyen (Io)	30A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	3.3V @ 30A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	65ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	250µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F	-
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-247-2
Package de périphérique fournisseur	TO-247-2
Température de fonctionnement - Jonction	175°C (Max)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BYC30-1200PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC	Détails
BYC30-600P,127	WeEn Semiconductors	BYC30-600P/TO-220AC/STANDARD M	Détails
BYC30B-600PJ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK	Détails
BYC30DW-600PQ	WeEn Semiconductors	BYC30DW-600PQ/TO247/STANDARD MAR	Détails
BYC30W-1200PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2	Détails
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BYC30WT-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3	Détails
BYC30X-600P,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F	Détails