BYC100W-1200PQ - WeEn Semiconductors

Numéro d'article	BYC100W-1200PQ
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Courant - Rectifié moyen (Io)	100A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	3.3V @ 100A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	90ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	250µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F	-
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-247-2
Package de périphérique fournisseur	TO-247-2
Température de fonctionnement - Jonction	175°C (Max)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BYC10-600,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC	Détails
BYC10-600CT,127	WeEn Semiconductors	DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB	Détails
BYC10-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC	Détails
BYC100W-1200PQ	WeEn Semiconductors	BYC100W-1200P/TO247-2L/STANDARD	Détails
BYC10B-600,118	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 10A D2PAK	Détails
BYC10D-600,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC	Détails
BYC10DX-600,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F	Détails
BYC10X-600	PHI	BYC10X-600 PHI T0-220.. New Original Stocks	Détails
BYC10X-600,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F	Détails
BYC10X-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F	Détails